化学气相堆积CVD法生长多晶金刚石膜，在一九八0年代中期问世，单晶CVD金刚石在一九九0年代末开端有人研发，至2000年代初元素6、卡耐基、阿波罗等公司生长成功，但未能构成市场发卖。2012年初由新加坡的IIa公司將微波等离子体化学气相堆积法生长出的无色高品貭，从小钻到克拉级的首飾钻石商品化，其售价较同级自然钻石低1/3至1/2，对自然钻石市场引发了震惊。实際上，单晶首飾钻石只是CVD服从的一小部分，年夜面积6-8英寸直径的多晶金刚石膜在声、化、光、热、电方面，有更多、更首要的用处。
CVD生长金刚石道理
碳氢化合物如甲烷在气态前提下受等离子体的高能解离，天生原子层级的碳离子堆积在加热的固态基体大要，进而制很多晶或单晶钻石的工艺技术，称为化学气相堆积法分解钻石。
等离子体来源：微波; 直流电弧放射; 热丝; 射频。
晶种基板：自然、HPHT或CVD分解金刚石切成平行于(100)晶面的薄片，用以生长单晶钻石。
气体：H2，CH4，O2或N2
温度：700 - 1000°C
真空度：1/10年夜气压力
生长效力：1?50微米/小时
CVD装备的不合能量来源：
直流电弧放射及热丝法因会有金属污染，故只能利用在多晶低端用处。射频体例效力较低。目前海内较为成熟的CVD技术为热丝和直流电弧等离子放射等。目前还没有发明操纵年夜功率微波等离子体技术装备(装备造价高贵,运行本钱高)生产CVD金刚石的有关报导。微波体例分2.45GHz及0.915GHz两种微波频次，后者可以做到数十到百千瓦KW的功率，其基板直径可达6-8英寸，较前者的品质及生产效力高很多，是将来CVD炉的趋势。
